Eine neue GaN-Produktionsstätte soll Villach als Halbleiterzentrum weiter stärken. Infineon fertigt dort Leistungshalbleiter auf großflächigen 300-Millimeter-Wafern. Die Technologie ist für wirtschaftliche Serienproduktion mit hohen Mengen ausgelegt. Für den Ausbau bestehender Reinräume sind 1,1 Milliarden Euro vorgesehen. Die Investition wird schrittweise bis einschließlich 2034 umgesetzt. Ab Ende 2027 sollen erste Serienprodukte hergestellt werden. Weitere Produktionskapazitäten entstehen nur bei entsprechender Nachfrageentwicklung.
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GaN-Produktion auf 300 Millimetern stärkt Villachs industrielle Fertigungskompetenz
Die geplante GaN-Fertigung in Villach basiert auf der Verarbeitung großer 300-Millimeter-Wafer. Infineon richtet die Produktionsplattform auf hohe Mengen und verlässliche Serienabläufe aus. Durch die größere Waferfläche können mehr Bauelemente je Prozessdurchlauf entstehen. Das schafft wirtschaftliche Voraussetzungen für die industrielle Verbreitung der GaN-Technologie. Neue Produktgenerationen erhalten damit eine skalierbare fertigungstechnische Grundlage. Der Standort erweitert seine Kompetenzen entlang der gesamten Wertschöpfungskette. Villach stärkt dadurch seine Rolle im weltweiten Netzwerk für Leistungshalbleiter.
Vorhandene Reinräume ermöglichen nachfrageorientierten Hochlauf der GaN-Produktion in Villach
Infineon verwendet vorhandene Reinraumflächen als Ausgangspunkt für neue Fertigungskapazitäten dort. Die technische Aufwertung erfolgt innerhalb einer bereits nutzbaren Gebäudestruktur weitgehend. Damit entfallen wesentliche Teile eines sonst erforderlichen Neubauprogramms am Standort. Bestehende Systeme für Medien Logistik und Betrieb werden einbezogen weiterhin. Der Umbau kann abschnittsweise geplant und umgesetzt werden bei Bedarf. Kapazität wächst folglich nur im Umfang der erwarteten Marktnachfrage weiter. Diese Vorgehensweise unterstützt Kostenkontrolle und eine flexible Produktionssteuerung zugleich dauerhaft.
GaN-Leistungshalbleiter ermöglichen effizientere Energieversorgung für wachsende Technologiemärkte weltweit künftig
GaN-Leistungshalbleiter erleichtern Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit geringeren Verlusten umwandeln. Diese Eigenschaften vereinfachen die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung versorgt daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Geplanter Produktionsstart Ende 2027 eröffnet skalierbare GaN-Kapazitäten in Villach
Mit dem Start der GaN-Fertigung in Villach rechnet Infineon zum Ende des Jahres 2027. Das Unternehmen plant Investitionen von etwa 1,1 Milliarden Euro, die sich bis 2034 verteilen. Die Kapazität soll entsprechend dem Bedarf der Abnehmer wachsen. Dieser Ansatz erlaubt es, die Produktionsleistung anhand konkreter Marktimpulse zu erhöhen. Gleichzeitig kann Infineon auf verzögerte Nachfrage reagieren, ohne den Ausbau vollständig stoppen zu müssen. Die Fertigungsplanung verbindet somit Skalierbarkeit, Investitionssicherheit und operative Flexibilität.
319 Millionen Euro beschleunigen Europas Ausbau moderner Chipfertigungskapazitäten spürbar
Für die Modernisierung und Erweiterung der Fertigung stehen 319 Millionen Euro an Fördermitteln bereit. Der Europäische Chips Act unterstützt damit eine Produktionsanlage, die moderne Leistungshalbleiter in großen Mengen herstellen soll. Diese Kapazität erweitert das Angebot innerhalb Europas und mindert die Abhängigkeit von externen Produktionsregionen. Die Förderung verbindet wirtschaftliche Investitionsanreize mit dem strategischen Ziel technologischer Souveränität. Sie stärkt europäische Lieferketten, unterstützt industrielle Innovation und schafft eine belastbarere Grundlage für künftige Nachfrage.
Infineon baut in Österreich eine zukunftsorientierte Produktionsplattform für GaN auf. Die technische Grundlage liefern modernisierte Reinräume am etablierten Villacher Standort. Großformatige Wafer ermöglichen höhere Ausbeuten und effiziente Fertigungsabläufe bei Volumenproduktion. So entstehen flexible Kapazitäten für unterschiedliche Anforderungen internationaler Abnehmer künftig. Energieeffiziente Bauelemente adressieren Anwendungen der Digitalisierung und Elektrifizierung gleichermaßen umfassend. Der Produktionshochlauf berücksichtigt dabei die reale Nachfrageentwicklung des Marktes fortlaufend. EU-Förderung sichert Investitionen und verringert Europas Abhängigkeit von Drittstaaten langfristig.
